数字集成电路版图绘制

林一二2020年07月06日 16:23

在编辑完 Schematic 后,通过工具栏左上角的 Launch - Layout GXL/Layout XL(两个差不多,区别未知),即可打开 Layout 绘制界面。 刚创建完得先到 options - display options - grid controls - xx spacing ,把网格的各种间距都改成 0.005,以方便连线和移动器件的时候能细致地对齐。如果先放了器件,才调整这个参数,可能导致调完参数放的东西和调之前放的东西无法对齐。这个参数每次新建新的器件的版图都得重新设置一遍。

Shift + F 和 Ctrl + F 可以切换细节和方框视图。

使用 i 放置物品,器件的参数会自动从 schematic 中取,所以 PMOS 的大小就不用手动从 220 改成 440 了。

初学时,对着棍棒图放置多个 MOS 管后,用导线连接即可,不要直接对着别人优化过的版图用 r 画。

使用 p 可以连出 pass 导线,比用 r 画方便,因为它会直接给出合适的导线宽度。

放一个 PMOS

  • 整个背景黑色的部分是 P 衬底
  • PMOS 周围紫色框 NW 框柱的是 n 阱
  • PMOS 周围黄色的 SP 是(n 阱上)的 p 注入,它虽然看起来直接连通了左右的通孔(via),但是它在实际制造时是往 n 阱上喷的,所以会被先放上去的多晶硅 GT 挡住,所以在制造后多晶硅下面实际上是没有 p 注入的,只是版图上有而已。
  • 红色的 AA 是激活区,类似于 Photoshop 里的遮罩。这解释了为什么黄色的 SP 在减去多晶硅部分后,虽然看起来还是把左右连在一起了,但是实际制造后却不会连在一起,因为只有被红色的 AA 覆盖到的部分,才会真正制造上去。
  • 如果要接上方的 VDD,需要用 q 打开器件参数配置,在 parameter tab 里面拉下去,找到 Boodytie Type 下拉框,选择 Detatched,这时下面会出现 Top Tap 等选项,选择后确认,即可创建一个标准的电源接口。之后用 p 创建导线将同侧的两个绿色的 via 连起来。之后画 VDD 的线时,就直接经过上面的电源接口。通过 Gate connect 选项还可以选择多晶硅接口的位置,创建比较标准的多晶硅接口。
  • p 创建出的导线如果需要拉长,可以用 shift+R 或先按 p 再按 s 来调整
  • 如果需要旋转器件,也是通过 q 打开参数设置,然后在 Attribute 选项卡里找到 Rotation 下拉框,可以配置旋转 90 度的整数倍
  • 和画 Schematic 时一样,按 l 可以给导线加 Label,如果有的线忘加 label 了,则运行 LVS 时会报错 supply error detected
  • 用 o 可以创建通孔,用于连接不同层的线。涉及金属的通孔需要在外面再自己加宽,不然 DRC 检查也会跟你说金属宽度不够。
Code
在编辑完 Schematic 后,通过工具栏左上角的 Launch - Layout GXL/Layout XL(两个差不多,区别未知),即可打开 Layout 绘制界面。
刚创建完得先到 options - display options - grid controls - xx spacing ,把网格的各种间距都改成 0.005,以方便连线和移动器件的时候能细致地对齐。如果先放了器件,才调整这个参数,可能导致调完参数放的东西和调之前放的东西无法对齐。这个参数每次新建新的器件的版图都得重新设置一遍。

Shift + F 和 Ctrl + F 可以切换细节和方框视图。

使用 i 放置物品,器件的参数会自动从 schematic 中取,所以 PMOS 的大小就不用手动从 220 改成 440 了。

初学时,对着棍棒图放置多个 MOS 管后,用导线连接即可,不要直接对着别人优化过的版图用 r 画。

使用 p 可以连出 pass 导线,比用 r 画方便,因为它会直接给出合适的导线宽度。

!! 放一个 PMOS

* 整个背景黑色的部分是 P 衬底
* PMOS 周围紫色框 NW 框柱的是 n 阱
* PMOS 周围黄色的 SP 是(n 阱上)的 p 注入,它虽然看起来直接连通了左右的通孔(via),但是它在实际制造时是往 n 阱上喷的,所以会被先放上去的多晶硅 GT 挡住,所以在制造后多晶硅下面实际上是没有 p 注入的,只是版图上有而已。
* 红色的 AA 是激活区,类似于 Photoshop 里的遮罩。这解释了为什么黄色的 SP 在减去多晶硅部分后,虽然看起来还是把左右连在一起了,但是实际制造后却不会连在一起,因为只有被红色的 AA 覆盖到的部分,才会真正制造上去。
* 如果要接上方的 VDD,需要用 q 打开器件参数配置,在 parameter tab 里面拉下去,找到 Boodytie Type 下拉框,选择 Detatched,这时下面会出现 Top Tap 等选项,选择后确认,即可创建一个标准的电源接口。之后用 p 创建导线将同侧的两个绿色的 via 连起来。之后画 VDD 的线时,就直接经过上面的电源接口。通过 Gate connect 选项还可以选择多晶硅接口的位置,创建比较标准的多晶硅接口。
* p 创建出的导线如果需要拉长,可以用 shift+R 或先按 p 再按 s 来调整
* 如果需要旋转器件,也是通过 q 打开参数设置,然后在 Attribute 选项卡里找到 Rotation 下拉框,可以配置旋转 90 度的整数倍
* 和画 Schematic 时一样,按 l 可以给导线加 Label,如果有的线忘加 label 了,则运行 LVS 时会报错 `supply error detected`
* 用 o 可以创建通孔,用于连接不同层的线。涉及金属的通孔需要在外面再自己加宽,不然 DRC 检查也会跟你说金属宽度不够。

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