如何画棍棒图

林一二2020年06月11日 21:40

Stick Diagram 是 Schematic 的后置步骤,是 Layout 的前置步骤。

  1. 把 MOS 管抽象表示为只有源和漏的线,作为图中的边,边的 label 是 MOS 管 Gate 边的 labe,MOS 管的源和漏变为图中的节点,从而得到上拉部分和下拉部分的两个子图
  2. 在两个子图中找到两条从 VDD 和 GND 出发的欧拉路径,使得两条路径经过的边的 label 一样(例如都是 A-B-C),记录通过这条路径遍历子图的过程中,经过各节点的顺序
  3. 在棍棒图中绘制平行的 VDD、 P doping、N doping、DNG 四根线,然后在 P doping、N doping 线上按上述 label 出现顺序画三条垂直的线,即多晶硅。
  4. 垂直线将水平线分为多个区域,区域即对应欧拉图中的节点。现在在棍棒图中标记出前述各个点,作为棍棒图中的边的 label(欧拉图中的点变成棍棒图中的边,欧拉图中的边变成棍棒图中的点)。
  5. 在棍棒图中用 Matel 连接所有相同名称的点

各种基本逻辑器件的棍棒图的例子:http://ece-research.unm.edu/jimp/vlsi/slides/chap5_1.html

Code
Stick Diagram 是 Schematic 的后置步骤,是 Layout 的前置步骤。

# 把 MOS 管抽象表示为只有源和漏的线,作为图中的边,边的 label 是 MOS 管 Gate 边的 labe,MOS 管的源和漏变为图中的节点,从而得到上拉部分和下拉部分的两个子图
# 在两个子图中找到两条从 VDD 和 GND 出发的欧拉路径,使得两条路径经过的边的 label 一样(例如都是 A-B-C),记录通过这条路径遍历子图的过程中,经过各节点的顺序
# 在棍棒图中绘制平行的 VDD、 P doping、N doping、DNG 四根线,然后在 P doping、N doping 线上按上述 label 出现顺序画三条垂直的线,即多晶硅。
# 垂直线将水平线分为多个区域,区域即对应欧拉图中的节点。现在在棍棒图中标记出前述各个点,作为棍棒图中的边的 label(欧拉图中的点变成棍棒图中的边,欧拉图中的边变成棍棒图中的点)。
# 在棍棒图中用 Matel 连接所有相同名称的点

各种基本逻辑器件的棍棒图的例子:[[http://ece-research.unm.edu/jimp/vlsi/slides/chap5_1.html]]